Name: SIA445EDJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIA445EDJ-T1-GE3TR-ND
Price: 4.551 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SIA445EDJ-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	SIA445EDJ-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SIA445EDJ-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SIA445EDJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SIA445EDJ-T1-GE3
Opis	MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Standardowy czas realizacji przez producenta	13 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 20 V 12A (Tc) 3,5W (Ta), 19W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® SC-70-6
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SIA445EDJ-T1-GE3 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Vishay Siliconix
Seria	TrenchFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	20 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	12A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	2,5V, 4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	16,5mOhm przy 7A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1,2V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	72 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±12V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2130 pF @ 10 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3,5W (Ta), 19W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PowerPAK® SC-70-6
Obudowa / skrzynia	PowerPAK® SC-70-6
Bazowy numer produktu	SIA445