Name: SI8800EDB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8800EDB-T2-E1TR-ND
Price: 3.2472 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI8800EDB-T2-E1
Numer produktu DigiKey	SI8800EDB-T2-E1TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI8800EDB-T2-E1CT-ND - Taśma cięta (CT) SI8800EDB-T2-E1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI8800EDB-T2-E1
Opis	MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT
Standardowy czas realizacji przez producenta	27 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 20 V 2A (Ta) 500mW (Ta) Montaż powierzchniowy 4-Microfoot
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SI8800EDB-T2-E1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Vishay Siliconix
Seria	TrenchFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	20 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	2A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	1,5V, 4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	80mOhm przy 1A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	8.3 nC @ 8 V
Vgs (maks.)	±8V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	500mW (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	4-Microfoot
Obudowa / skrzynia	4-XFBGA, CSPBGA
Bazowy numer produktu	SI8800

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

W magazynie: 7 324

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)