Name: SI9926CDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI9926CDY-T1-GE3TR-ND
Price: 8.7945 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI9926CDY-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	SI9926CDY-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI9926CDY-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI9926CDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI9926CDY-T1-GE3
Opis	MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC
Standardowy czas realizacji przez producenta	38 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 20V 8A 3,1W Montaż powierzchniowy 8-SOIC
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 18mOhm przy 8,3A, 4,5V
Producent Vishay Siliconix	Vgs(th) (maks.) przy Id 1,5V przy 250µA
Seria TrenchFET®	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 33nC przy 10V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1200pF przy 10V
Status części Aktywny	Moc - maks. 3,1W
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Charakterystyka FET Bramka poziomu logicznego	Obudowa / skrzynia 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 20V	Obudowa dostawcy urządzenia 8-SOIC
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 8A	Bazowy numer produktu SI9926