Name: SI8810EDB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8810EDB-T2-E1TR-ND
Price: 2.8659 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI8810EDB-T2-E1
Numer produktu DigiKey	SI8810EDB-T2-E1TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI8810EDB-T2-E1CT-ND - Taśma cięta (CT) SI8810EDB-T2-E1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI8810EDB-T2-E1
Opis	MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
Standardowy czas realizacji przez producenta	38 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 20 V 2,1A (Ta) 500mW (Ta) Montaż powierzchniowy 4-Microfoot
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 900mV przy 250µA
Prod. Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 8 nC @ 8 V
Seria TrenchFET®	Vgs (maks.) ±8V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 245 pF @ 10 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 500mW (Ta)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 20 V	Obudowa dostawcy urządzenia 4-Microfoot
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 2,1A (Ta)	Obudowa / skrzynia 4-XFBGA
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 1,5V, 4,5V	Bazowy numer produktu SI8810
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 72mOhm przy 1A, 4,5V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 315

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)