Name: SI8810EDB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8810EDB-T2-E1TR-ND
Price: 2.7429 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI8810EDB-T2-E1
Numer produktu DigiKey	SI8810EDB-T2-E1TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI8810EDB-T2-E1CT-ND - Taśma cięta (CT) SI8810EDB-T2-E1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI8810EDB-T2-E1
Opis	MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
Standardowy czas realizacji przez producenta	27 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 20 V 2,1A (Ta) 500mW (Ta) Montaż powierzchniowy 4-Microfoot
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Vishay Siliconix
Seria	TrenchFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	20 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	2,1A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	1,5V, 4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	72mOhm przy 1A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	900mV przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	8 nC @ 8 V
Vgs (maks.)	±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	245 pF @ 10 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	500mW (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	4-Microfoot
Obudowa / skrzynia	4-XFBGA
Bazowy numer produktu	SI8810

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 2 072

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)