Name: SI8812DB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8812DB-T2-E1TR-ND
Price: 3.5301 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI8812DB-T2-E1
Numer produktu DigiKey	SI8812DB-T2-E1TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI8812DB-T2-E1CT-ND - Taśma cięta (CT) SI8812DB-T2-E1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI8812DB-T2-E1
Opis	MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT
Standardowy czas realizacji przez producenta	17 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 20 V 2,3A (Ta) 500mW (Ta) Montaż powierzchniowy 4-Microfoot
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SI8812DB-T2-E1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 59mOhm przy 1A, 4,5V
Prod. Vishay Siliconix	Vgs(th) (maks.) przy Id 1V przy 250µA
Seria TrenchFET®	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 17 nC @ 8 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±5V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 500mW (Ta)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 20 V	Obudowa dostawcy urządzenia 4-Microfoot
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 2,3A (Ta)	Obudowa / skrzynia 4-UFBGA
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 1,2V, 4,5V	Bazowy numer produktu SI8812

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 5 900

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)