
SI7997DP-T1-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SI7997DP-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI7997DP-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI7997DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SI7997DP-T1-GE3 |
Opis | MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO8 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 24 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 30V 60A 46W Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8 podwójny |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SI7997DP-T1-GE3 Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Producent | Vishay Siliconix | |
Seria | ||
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Aktywny | |
Technologia | MOSFET (tlenek metalu) | |
Konfiguracja | 2 kanały P (podwójne) | |
Charakterystyka FET | - | |
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 30V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | 60A | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 5,5mOhm przy 20A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 2,2V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 160nC przy 10V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 6200pF przy 15V | |
Moc - maks. | 46W | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa / skrzynia | PowerPAK® SO-8 podwójny | |
Obudowa dostawcy urządzenia | PowerPAK® SO-8 podwójny | |
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 10,72000 zł | 10,72 zł |
| 10 | 6,95000 zł | 69,50 zł |
| 100 | 4,79680 zł | 479,68 zł |
| 500 | 3,97586 zł | 1 987,93 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 3,24825 zł | 9 744,75 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 10,72000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 13,18560 zł |











