Name: SI7997DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7997DP-T1-GE3TR-ND
Price: 16.605 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI7997DP-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	SI7997DP-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI7997DP-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI7997DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI7997DP-T1-GE3
Opis	MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO8
Standardowy czas realizacji przez producenta	22 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 30V 60A 46W Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8 podwójny
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SI7997DP-T1-GE3 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,2V przy 250µA
Producent Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 160nC przy 10V
Seria TrenchFET®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 6200pF przy 15V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Moc - maks. 46W
Status części Aktywny	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Konfiguracja 2 kanały P (podwójne)	Obudowa / skrzynia PowerPAK® SO-8 podwójny
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30V	Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® SO-8 podwójny
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 60A	Bazowy numer produktu SI7997
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 5,5mOhm przy 20A, 10V