Name: SI7956DP-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7956DP-T1-E3TR-ND
Price: 18.6837 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI7956DP-T1-E3
Numer produktu DigiKey	SI7956DP-T1-E3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI7956DP-T1-E3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI7956DP-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI7956DP-T1-E3
Opis	MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO8
Standardowy czas realizacji przez producenta	20 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 150V 2,6A 1,4W Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8 podwójny
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SI7956DP-T1-E3 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	Vishay Siliconix
Seria	TrenchFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Konfiguracja	2 kanały N (podwójne)
Charakterystyka FET	Bramka poziomu logicznego
Napięcie dren-źródło (Vdss)	150V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	2,6A
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	105mOhm przy 4,1A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	26nC przy 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	-
Moc - maks.	1,4W
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	PowerPAK® SO-8 podwójny
Obudowa dostawcy urządzenia	PowerPAK® SO-8 podwójny
Bazowy numer produktu	SI7956