Name: BSZ900N15NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ900N15NS3GATMA1TR-ND
Price: 8.6961 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

BSZ900N15NS3GATMA1
Numer produktu DigiKey	BSZ900N15NS3GATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) BSZ900N15NS3GATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) BSZ900N15NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	BSZ900N15NS3GATMA1
Opis	MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON
Standardowy czas realizacji przez producenta	61 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 150 V 13A (Tc) 38W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TSDSON-8
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	BSZ900N15NS3GATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 20µA
Prod. Infineon Technologies	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 7 nC @ 10 V
Seria OptiMOS™	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 510 pF @ 75 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 38W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 150 V	Obudowa dostawcy urządzenia PG-TSDSON-8
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 13A (Tc)	Obudowa / skrzynia 8-PowerTDFN
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 8V, 10V	Bazowy numer produktu BSZ900
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 90mOhm przy 10A, 10V