Name: SI7852DP-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7852DP-T1-E3TR-ND
Price: 17.7366 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI7852DP-T1-E3
Numer produktu DigiKey	SI7852DP-T1-E3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI7852DP-T1-E3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI7852DP-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI7852DP-T1-E3
Opis	MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
Standardowy czas realizacji przez producenta	20 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 80 V 7,6A (Ta) 1,9W (Ta) Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SI7852DP-T1-E3 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Vishay Siliconix
Seria	TrenchFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	80 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	7,6A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	16,5mOhm przy 10A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2V przy 250µA (min.)
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	41 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	1,9W (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PowerPAK® SO-8
Obudowa / skrzynia	PowerPAK® SO-8
Bazowy numer produktu	SI7852