Name: SI4850EY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4850EY-T1-E3TR-ND
Price: 11.7957 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI4850EY-T1-E3
Numer produktu DigiKey	SI4850EY-T1-E3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI4850EY-T1-E3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI4850EY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI4850EY-T1-E3
Opis	MOSFET N-CH 60V 6A 8SO
Standardowy czas realizacji przez producenta	38 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 6A (Ta) 1,7W (Ta) Montaż powierzchniowy 8-SOIC
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SI4850EY-T1-E3 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 22mOhm przy 6A, 10V
Prod. Vishay Siliconix	Vgs(th) (maks.) przy Id 3V przy 250µA
Seria TrenchFET®	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 27 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 1,7W (Ta)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 60 V	Obudowa dostawcy urządzenia 8-SOIC
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 6A (Ta)	Obudowa / skrzynia 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Bazowy numer produktu SI4850