
SI2325DS-T1-E3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SI2325DS-T1-E3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI2325DS-T1-E3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI2325DS-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SI2325DS-T1-E3 |
Opis | MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 20 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał P 150 V 530mA (Ta) 750mW (Ta) Montaż powierzchniowy SOT-23-3 (TO-236) |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SI2325DS-T1-E3 Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 150 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 6V, 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 1,2Ohm przy 500mA, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4,5V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 12 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 510 pF @ 25 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 750mW (Ta) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | SOT-23-3 (TO-236) | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 5,60000 zł | 5,60 zł |
| 10 | 3,53900 zł | 35,39 zł |
| 100 | 2,35740 zł | 235,74 zł |
| 500 | 1,85006 zł | 925,03 zł |
| 1 000 | 1,68682 zł | 1 686,82 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 1,47947 zł | 4 438,41 zł |
| 6 000 | 1,37513 zł | 8 250,78 zł |
| 9 000 | 1,32675 zł | 11 940,75 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 5,60000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 6,88800 zł |








