Similar
Similar
Similar

SI4936BDY-T1-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SI4936BDY-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI4936BDY-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI4936BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SI4936BDY-T1-GE3 |
Opis | MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 30V 6,9A 2,8W Montaż powierzchniowy 8-SOIC |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Kategoria | Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 35mOhm przy 5,9A, 10V |
Producent Vishay Siliconix | Vgs(th) (maks.) przy Id 3V przy 250µA |
Seria | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 15nC przy 10V |
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 530pF przy 15V |
Status części Nieaktualne | Moc - maks. 2,8W |
Technologia MOSFET (tlenek metalu) | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne) | Typ mocowania Montaż powierzchniowy |
Charakterystyka FET Bramka poziomu logicznego | Obudowa / skrzynia 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm) |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30V | Obudowa dostawcy urządzenia 8-SOIC |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 6,9A | Bazowy numer produktu |
| Numer katalogowy | Producent | Ilość dostępna | Numer produktu DigiKey | Cena jednostkowa | Rodzaj zamiennika |
|---|---|---|---|---|---|
| SH8K12TB1 | Rohm Semiconductor | 0 | SH8K12TB1-ND | 1,58153 zł | Similar |
| SH8K4TB1 | Rohm Semiconductor | 1 703 | SH8K4TB1CT-ND | 9,70000 zł | Similar |
| ZXMN3A06DN8TA | Diodes Incorporated | 1 413 | ZXMN3A06DN8CT-ND | 8,08000 zł | Similar |



