Name: ZXMN3A06DN8TA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN3A06DN8TR-ND
Price: 9.9384 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

ZXMN3A06DN8TA
Numer produktu DigiKey	ZXMN3A06DN8TR-ND - Taśma i szpula (TR) ZXMN3A06DN8CT-ND - Taśma cięta (CT)
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	ZXMN3A06DN8TA
Opis	MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO
Standardowy czas realizacji przez producenta	40 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 30V 4,9A 1,8W Montaż powierzchniowy 8-SO
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Vgs(th) (maks.) przy Id 1V przy 250µA
Producent Diodes Incorporated	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 17,5nC przy 10V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT)	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 796pF przy 25V
Status części Aktywny	Moc - maks. 1,8W
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Charakterystyka FET Bramka poziomu logicznego	Obudowa / skrzynia 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30V	Obudowa dostawcy urządzenia 8-SO
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 4,9A	Bazowy numer produktu ZXMN3
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 35mOhm przy 9A, 10V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 1 413

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT)

Taśma i szpula (TR)

Opakowanie standardowe producenta

Cena jednostkowa bez VAT:	8,08000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	9,93840 zł

ZXMN3A06DN8TA