Odpowiednik parametryczny
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar

SI4900DY-T1-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SI4900DY-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI4900DY-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI4900DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SI4900DY-T1-GE3 |
Opis | MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 60V 5,3A 3,1W Montaż powierzchniowy 8-SOIC |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Kategoria | Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 58mOhm przy 4,3A, 10V |
Producent Vishay Siliconix | Vgs(th) (maks.) przy Id 3V przy 250µA |
Seria | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 20nC przy 10V |
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 665pF przy 15V |
Status części Nieaktualne | Moc - maks. 3,1W |
Technologia MOSFET (tlenek metalu) | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne) | Typ mocowania Montaż powierzchniowy |
Charakterystyka FET Bramka poziomu logicznego | Obudowa / skrzynia 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm) |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 60V | Obudowa dostawcy urządzenia 8-SOIC |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 5,3A | Bazowy numer produktu |
| Numer katalogowy | Producent | Ilość dostępna | Numer produktu DigiKey | Cena jednostkowa | Rodzaj zamiennika |
|---|---|---|---|---|---|
| SI4900DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 195 | SI4900DY-T1-E3CT-ND | 6,86000 zł | Odpowiednik parametryczny |
| AO4828 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 0 | 785-1062-2-ND | 0,92139 zł | Similar |
| SH8K32GZETB | Rohm Semiconductor | 4 288 | SH8K32GZETBCT-ND | 8,80000 zł | Similar |
| STS4DNF60L | STMicroelectronics | 7 018 | 497-3226-1-ND | 10,52000 zł | Similar |
| STS5DNF60L | STMicroelectronics | 1 364 | 497-15672-1-ND | 6,39000 zł | Similar |






