Name: SI4599DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4599DY-T1-GE3TR-ND
Price: 5.8056 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI4599DY-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	SI4599DY-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI4599DY-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI4599DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI4599DY-T1-GE3
Opis	MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC
Standardowy czas realizacji przez producenta	15 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 40V 6,8A, 5,8A 3W, 3,1W Montaż powierzchniowy 8-SOIC
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SI4599DY-T1-GE3 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	Vishay Siliconix
Seria	TrenchFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Konfiguracja	Kanał N i P
Charakterystyka FET	Bramka poziomu logicznego
Napięcie dren-źródło (Vdss)	40V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	6,8A, 5,8A
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	35,5mOhm przy 5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	20nC przy 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	640pF przy 20V
Moc - maks.	3W, 3,1W
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Obudowa dostawcy urządzenia	8-SOIC
Bazowy numer produktu	SI4599