Name: QH8MA2TCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: QH8MA2TCRTR-ND
Price: 4.5018 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

QH8MA2TCR
Numer produktu DigiKey	QH8MA2TCRTR-ND - Taśma i szpula (TR) QH8MA2TCRCT-ND - Taśma cięta (CT) QH8MA2TCRDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Rohm Semiconductor
Numer produktu producenta	QH8MA2TCR
Opis	MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 30V 4,5A, 3A 1,25W Montaż powierzchniowy TSMT8
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	QH8MA2TCR Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 1mA
Producent Rohm Semiconductor	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 8,4nC przy 10V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 365pF przy 10V
Status części Aktywny	Moc - maks. 1,25W
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza 150°C (TJ)
Konfiguracja Kanał N i P	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Charakterystyka FET Bramka poziomu logicznego	Obudowa / skrzynia 8-SMD, odprowadzenia płaskie
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30V	Obudowa dostawcy urządzenia TSMT8
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 4,5A, 3A	Bazowy numer produktu QH8MA2
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 35mOhm przy 4,5A, 10V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 142

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)

Opakowanie standardowe producenta

Cena jednostkowa bez VAT:	3,66000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	4,50180 zł

QH8MA2TCR