Name: TW031V65C,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW031V65CLQTR-ND
Price: 180.2934 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

TW031V65C,LQ
Numer produktu DigiKey	264-TW031V65CLQTR-ND - Taśma i szpula (TR) 264-TW031V65CLQCT-ND - Taśma cięta (CT) 264-TW031V65CLQDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	TW031V65C,LQ
Opis	N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.031 OH
Standardowy czas realizacji przez producenta	24 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 53A (Tc) 156W (Tc) Montaż powierzchniowy 4-DFN-EP (8x8)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 5V przy 3mA
Prod. Toshiba Semiconductor and Storage	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 65 nC @ 18 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) +25V, -10V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 2288 pF @ 400 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 156W (Tc)
Technologia SiCFET (węglik krzemu)	Temperatura robocza 175°C
Napięcie dren-źródło (Vdss) 650 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 53A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia 4-DFN-EP (8x8)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 18V	Obudowa / skrzynia 4-VSFN podkładka odsłonięta
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 45mOhm przy 29A, 18V