Kanał N 650 V 68A (Tc) 315W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-LHSOF-4-1
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IMTA65R033M2HXTMA1

Numer produktu DigiKey
448-IMTA65R033M2HXTMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR)
448-IMTA65R033M2HXTMA1CT-ND - Taśma cięta (CT)
448-IMTA65R033M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent
Infineon Technologies
Numer produktu producenta
IMTA65R033M2HXTMA1
Opis
SILICON CARBIDE MOSFET
Standardowy czas realizacji przez producenta
61 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 650 V 68A (Tc) 315W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-LHSOF-4-1
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Infineon Technologies
Seria
CoolSiC™
Opakowanie
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Status części
Aktywny
Typ FET
Kanał N
Technologia
SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
68A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
15V, 20V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
30mOhm przy 27,9A, 20V
Vgs(th) (maks.) przy Id
5,6V przy 5,7mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
34 nC @ 18 V
Vgs (maks.)
+23V, -7V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
1214 pF @ 400 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
315W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 175°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia
PG-LHSOF-4-1
Obudowa / skrzynia
4-PowerLSFN
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 1 791
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®
Ilość Cena jednostkowa Wartość
136,36000 zł36,36 zł
1024,90300 zł249,03 zł
10018,43740 zł1 843,74 zł
50018,15328 zł9 076,64 zł
* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.
Taśma i szpula (TR)
Ilość Cena jednostkowa Wartość
2 00014,83113 zł29 662,26 zł
Opakowanie standardowe producenta
Cena jednostkowa bez VAT:36,36000 zł
Cena jednostkowa z VAT:44,72280 zł
Mogą Cię również zainteresowaćZobacz wszystko
8 Pozycje
IMTA65R026M2HXTMA1

IMTA65R026M2HXTMA1

SILICON CARBIDE MOSFET

Infineon Technologies

42,64000 zł
TW031V65C,LQ

TW031V65C,LQ

N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.031 OH

Toshiba Semiconductor and Storage

136,25000 zł
SCTL90N65G2V

SCTL90N65G2V

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650

STMicroelectronics

104,14000 zł
TW054V65C,LQ

TW054V65C,LQ

N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.054 OH

Toshiba Semiconductor and Storage

97,96000 zł
NTMT045N065SC1

NTMT045N065SC1

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3

onsemi

44,75000 zł
SCTL35N65G2V

SCTL35N65G2V

TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV

STMicroelectronics

57,21000 zł
IMTA65R050M2HXTMA1

IMTA65R050M2HXTMA1

SILICON CARBIDE MOSFET

Infineon Technologies

25,89000 zł
IMLT65R026M2HXTMA1

IMLT65R026M2HXTMA1

SILICON CARBIDE MOSFET

Infineon Technologies

43,71000 zł