Name: SCTL90N65G2V
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCTL90N65G2VTR-ND
Price: 131.2779 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SCTL90N65G2V
Numer produktu DigiKey	497-SCTL90N65G2VTR-ND - Taśma i szpula (TR) 497-SCTL90N65G2VCT-ND - Taśma cięta (CT) 497-SCTL90N65G2VDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	STMicroelectronics
Numer produktu producenta	SCTL90N65G2V
Opis	SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 40A (Tc) 935W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerFlat™ (8x8) HV
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SCTL90N65G2V Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	STMicroelectronics
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	40A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	18V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	24mOhm przy 40A, 18V
Vgs(th) (maks.) przy Id	5V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	157 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+22V, -10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	3380 pF @ 400 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	935W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PowerFlat™ (8x8) HV
Obudowa / skrzynia	4-PowerVDFN