Name: SCTL90N65G2V
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCTL90N65G2VTR-ND
Price: 137.7969 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SCTL90N65G2V
Numer produktu DigiKey	497-SCTL90N65G2VTR-ND - Taśma i szpula (TR) 497-SCTL90N65G2VCT-ND - Taśma cięta (CT) 497-SCTL90N65G2VDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	STMicroelectronics
Numer produktu producenta	SCTL90N65G2V
Opis	SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Standardowy czas realizacji przez producenta	18 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 40A (Tc) 935W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerFlat™ (8x8) HV
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SCTL90N65G2V Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 5V przy 1mA
Prod. STMicroelectronics	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 157 nC @ 18 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) +22V, -10V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 3380 pF @ 400 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 935W (Tc)
Technologia SiCFET (węglik krzemu)	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 650 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 40A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia PowerFlat™ (8x8) HV
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 18V	Obudowa / skrzynia 4-PowerVDFN
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 24mOhm przy 40A, 18V