Nowy produkt
Kanał N 80 V 26A (Ta), 238A (Tc) 3W (Ta), 250W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-SOP Advance (4,9x5,75)
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
Kanał N 80 V 26A (Ta), 238A (Tc) 3W (Ta), 250W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-SOP Advance (4,9x5,75)
264~2-6L1A~~8 bottom

TPM1R908QM,LQ

Numer produktu DigiKey
264-TPM1R908QMLQTR-ND - Taśma i szpula (TR)
264-TPM1R908QMLQCT-ND - Taśma cięta (CT)
264-TPM1R908QMLQDKR-ND - Digi-Reel®
Producent
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta
TPM1R908QM,LQ
Opis
N-CH MOSFET, 80 V, 0.0019 @10V,
Standardowy czas realizacji przez producenta
16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 80 V 26A (Ta), 238A (Tc) 3W (Ta), 250W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-SOP Advance (4,9x5,75)
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Toshiba Semiconductor and Storage
Seria
U-MOSX-H
Opakowanie
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Status części
Aktywny
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
80 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
26A (Ta), 238A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
1,9mOhm przy 70A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
3,5V przy 1,2mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
108 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
10500 pF @ 40 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
3W (Ta), 250W (Tc)
Temperatura robocza
175°C
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia
8-SOP Advance (4,9x5,75)
Obudowa / skrzynia
8-PowerTDFN
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 8 872
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®
Ilość Cena jednostkowa Wartość
110,25000 zł10,25 zł
106,63600 zł66,36 zł
1004,57420 zł457,42 zł
5003,77032 zł1 885,16 zł
* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.
Taśma i szpula (TR)
Ilość Cena jednostkowa Wartość
5 0003,08033 zł15 401,65 zł
Opakowanie standardowe producenta
Cena jednostkowa bez VAT:10,25000 zł
Cena jednostkowa z VAT:12,60750 zł
Mogą Cię również zainteresowaćZobacz wszystko
10 Pozycje
TPH2R70AR5,LQ

TPH2R70AR5,LQ

N-CH MOSFET, 100 V, 0.0027 OHM@1

Toshiba Semiconductor and Storage

5,54000 zł
TW092V65C,LQ

TW092V65C,LQ

N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.092 OH

Toshiba Semiconductor and Storage

80,14000 zł
TW027U65C,RQ

TW027U65C,RQ

N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T

Toshiba Semiconductor and Storage

142,11000 zł
NTMFS003P03P8ZT1G

NTMFS003P03P8ZT1G

MOSFET, POWER -30V P-CHANNEL, SO

onsemi

9,82000 zł
AONS66811

AONS66811

N

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

12,64000 zł
TPW2900ENH,L1Q

TPW2900ENH,L1Q

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO

Toshiba Semiconductor and Storage

13,11000 zł
NTMFWS1D5N08XT1G

NTMFWS1D5N08XT1G

MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE

onsemi

12,96000 zł
TRS12V65H,LQ

TRS12V65H,LQ

DIODE SIL CARB 650V 12A 4DFNEP

Toshiba Semiconductor and Storage

15,61000 zł
DCL540C01(T,E

DCL540C01(T,E

DGTL ISOLTR 5KV 4CH GP 16-SOIC

Toshiba Semiconductor and Storage

21,00000 zł
EPC2367

EPC2367

TRANS GAN 100V DIE,1.5 MOHM, 5PI

EPC

24,61000 zł