Name: TPM1R908QM,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPM1R908QMLQTR-ND
Price: 13.5546 PLN
Availability: InStock

Nowy produkt

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

TPM1R908QM,LQ
Numer produktu DigiKey	264-TPM1R908QMLQTR-ND - Taśma i szpula (TR) 264-TPM1R908QMLQCT-ND - Taśma cięta (CT) 264-TPM1R908QMLQDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	TPM1R908QM,LQ
Opis	N-CH MOSFET, 80 V, 0.0019 @10V,
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 80 V 26A (Ta), 238A (Tc) 3W (Ta), 250W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-SOP Advance (4,9x5,75)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 1,9mOhm przy 70A, 10V
Prod. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) (maks.) przy Id 3,5V przy 1,2mA
Seria U-MOSX-H	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 108 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 10500 pF @ 40 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 3W (Ta), 250W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza 175°C
Napięcie dren-źródło (Vdss) 80 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 26A (Ta), 238A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia 8-SOP Advance (4,9x5,75)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 6V, 10V	Obudowa / skrzynia 8-PowerTDFN