Name: TW092V65C,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW092V65CLQTR-ND
Price: 106.0506 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

TW092V65C,LQ
Numer produktu DigiKey	264-TW092V65CLQTR-ND - Taśma i szpula (TR) 264-TW092V65CLQCT-ND - Taśma cięta (CT) 264-TW092V65CLQDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	TW092V65C,LQ
Opis	N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.092 OH
Standardowy czas realizacji przez producenta	24 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 27A (Tc) 111W (Tc) Montaż powierzchniowy 4-DFN-EP (8x8)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 5V przy 600µA
Prod. Toshiba Semiconductor and Storage	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 28 nC @ 18 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) +25V, -10V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 873 pF @ 400 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 111W (Tc)
Technologia SiCFET (węglik krzemu)	Temperatura robocza 175°C
Napięcie dren-źródło (Vdss) 650 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 27A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia 4-DFN-EP (8x8)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 18V	Obudowa / skrzynia 4-VSFN podkładka odsłonięta
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 136mOhm przy 15A, 18V