


TW092V65C,LQ | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 264-TW092V65CLQTR-ND - Taśma i szpula (TR) 264-TW092V65CLQCT-ND - Taśma cięta (CT) 264-TW092V65CLQDKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | TW092V65C,LQ |
Opis | N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.092 OH |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 24 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 650 V 27A (Tc) 111W (Tc) Montaż powierzchniowy 4-DFN-EP (8x8) |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | - | |
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 650 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 18V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 136mOhm przy 15A, 18V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 5V przy 600µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 28 nC @ 18 V | |
Vgs (maks.) | +25V, -10V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 873 pF @ 400 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 111W (Tc) | |
Temperatura robocza | 175°C | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | 4-DFN-EP (8x8) | |
Obudowa / skrzynia |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 80,14000 zł | 80,14 zł |
| 10 | 57,79200 zł | 577,92 zł |
| 100 | 57,21060 zł | 5 721,06 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 2 500 | 46,74070 zł | 116 851,75 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 80,14000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 98,57220 zł |








