Name: TK6R7P06PL,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK6R7P06PLRQTR-ND
Price: 7.749 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

TK6R7P06PL,RQ
Numer produktu DigiKey	TK6R7P06PLRQTR-ND - Taśma i szpula (TR) TK6R7P06PLRQCT-ND - Taśma cięta (CT) TK6R7P06PLRQDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	TK6R7P06PL,RQ
Opis	MOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 46A (Tc) 66W (Tc) Montaż powierzchniowy D-PAK
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	TK6R7P06PL,RQ Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Toshiba Semiconductor and Storage
Seria	U-MOSIX-H
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	46A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	6,7mOhm przy 23A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 300µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	26 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1990 pF @ 30 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	66W (Tc)
Temperatura robocza	175°C
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	D-PAK
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Bazowy numer produktu	TK6R7P06