Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar

TK12E80W,S1X | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | TK12E80WS1X-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | TK12E80W,S1X |
Opis | MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 16 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 800 V 11,5A (Ta) 165W (Tc) Otwór przelotowy TO-220 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | TK12E80W,S1X Modele |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 570µA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 23 nC @ 10 V |
Seria | Vgs (maks.) ±20V |
Opakowanie Rurka | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1400 pF @ 300 V |
Status części Aktywny | Straty mocy (maks.) 165W (Tc) |
Typ FET | Temperatura robocza 150°C |
Technologia | Typ mocowania Otwór przelotowy |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 800 V | Obudowa dostawcy urządzenia TO-220 |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa / skrzynia |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V | Bazowy numer produktu |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 450mOhm przy 5,8A, 10V |
| Numer katalogowy | Producent | Ilość dostępna | Numer produktu DigiKey | Cena jednostkowa | Rodzaj zamiennika |
|---|---|---|---|---|---|
| IPP60R600P7XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPP60R600P7XKSA1-ND | 0,00000 zł | Similar |
| IXFP14N60P | IXYS | 0 | IXFP14N60P-ND | 11,55123 zł | Similar |
| IXFP8N65X2 | IXYS | 0 | IXFP8N65X2-ND | 7,95350 zł | Similar |
| IXTP14N60PM | IXYS | 0 | IXTP14N60PM-ND | 10,13180 zł | Similar |
| IXTP18N60PM | IXYS | 0 | IXTP18N60PM-ND | 9,02873 zł | Similar |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 20,65000 zł | 20,65 zł |
| 50 | 10,80320 zł | 540,16 zł |
| 100 | 9,85100 zł | 985,10 zł |
| 500 | 8,18258 zł | 4 091,29 zł |
| 1 000 | 7,64697 zł | 7 646,97 zł |
| 2 000 | 7,24893 zł | 14 497,86 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 20,65000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 25,39950 zł |







