Ustawienia
Szybka dostawa
Bezpłatna wysyłka
Incoterms
Typy płatności
Produkt z platformy handlowej
TK12E80W,S1X nie jest dostępne w magazynie, jednak można złożyć zamówienie niezrealizowane.
Dostępne zamienniki:
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
TK12E80W,S1X | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | TK12E80WS1X-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | TK12E80W,S1X |
Opis | MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 16 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 800 V 11,5A (Ta) 165W (Tc) Otwór przelotowy TO-220 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | TK12E80W,S1X Modele |
Atrybuty produktu
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 800 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 450mOhm przy 5,8A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4V przy 570µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 23 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 1400 pF @ 300 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 165W (Tc) | |
Temperatura robocza | 150°C | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Otwór przelotowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-220 | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
0 w magazynie
Sprawdź czas realizacji
Zażądaj powiadomienia o stanie magazynowym
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 19,11000 zł | 19,11 zł |
| 50 | 9,98220 zł | 499,11 zł |
| 100 | 9,10240 zł | 910,24 zł |
| 500 | 7,56082 zł | 3 780,41 zł |
| 1 000 | 7,38863 zł | 7 388,63 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 19,11000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 23,50530 zł |
Polska