Name: SSM6P816R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM6P816RLFTR-ND
Price: 3.5301 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SSM6P816R,LF
Numer produktu DigiKey	264-SSM6P816RLFTR-ND - Taśma i szpula (TR) 264-SSM6P816RLFCT-ND - Taśma cięta (CT) 264-SSM6P816RLFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	SSM6P816R,LF
Opis	MOSFET 2P-CH 20V 6A 6TSOPF
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 20V 6A (Ta) 1,4W (Ta) Montaż powierzchniowy 6-TSOP-F
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Vgs(th) (maks.) przy Id 1V przy 1mA
Producent Toshiba Semiconductor and Storage	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 16,6nC przy 4,5V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1030pF przy 10V
Status części Aktywny	Moc - maks. 1,4W (Ta)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza 150°C
Konfiguracja 2 kanały P (podwójne)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Charakterystyka FET Bramka poziomu logicznego, sterowanie 1,8V	Obudowa / skrzynia 6-SMD, odprowadzenia płaskie
Napięcie dren-źródło (Vdss) 20V	Obudowa dostawcy urządzenia 6-TSOP-F
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 6A (Ta)	Bazowy numer produktu SSM6P816
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 30,1mOhm przy 4A, 4,5V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 2 124

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)