Name: SSM6N62TU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6N62TULFTR-ND
Price: 3.1365 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SSM6N62TU,LF
Numer produktu DigiKey	SSM6N62TULFTR-ND - Taśma i szpula (TR) SSM6N62TULFCT-ND - Taśma cięta (CT) SSM6N62TULFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	SSM6N62TU,LF
Opis	MOSFET 2N-CH 20V 0.8A UF6
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 20V 800mA (Ta) 500mW (Ta) Montaż powierzchniowy UF6
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SSM6N62TU,LF Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Vgs(th) (maks.) przy Id 1V przy 1mA
Producent Toshiba Semiconductor and Storage	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 2nC przy 4,5V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 177pF przy 10V
Status części Aktywny	Moc - maks. 500mW (Ta)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza 150°C
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Charakterystyka FET Bramka poziomu logicznego, sterowanie 1,2V	Obudowa / skrzynia 6-SMD, odprowadzenia płaskie
Napięcie dren-źródło (Vdss) 20V	Obudowa dostawcy urządzenia UF6
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 800mA (Ta)	Bazowy numer produktu SSM6N62
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 85mOhm przy 800mA, 4.5V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 7 036

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)