Name: SSM6N35AFE,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6N35AFELFTR-ND
Price: 1.5867 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SSM6N35AFE,LF
Numer produktu DigiKey	SSM6N35AFELFTR-ND - Taśma i szpula (TR) SSM6N35AFELFCT-ND - Taśma cięta (CT) SSM6N35AFELFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	SSM6N35AFE,LF
Opis	MOSFET 2N-CH 20V 0.25A ES6
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 20V 250mA (Ta) 250mW Montaż powierzchniowy ES6
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SSM6N35AFE,LF Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Vgs(th) (maks.) przy Id 1V przy 100µA
Producent Toshiba Semiconductor and Storage	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 0,34nC przy 4,5V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 36pF przy 10V
Status części Aktywny	Moc - maks. 250mW
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza 150°C
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Charakterystyka FET Bramka poziomu logicznego, sterowanie 1,2V	Obudowa / skrzynia SOT-563, SOT-666
Napięcie dren-źródło (Vdss) 20V	Obudowa dostawcy urządzenia ES6
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 250mA (Ta)	Bazowy numer produktu SSM6N35
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 1,1Ohm przy 150mA, 4,5V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 19 248

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)