Name: SSM3J36TU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J36TULFTR-ND
Price: 1.4391 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SSM3J36TU,LF
Numer produktu DigiKey	SSM3J36TULFTR-ND - Taśma i szpula (TR) SSM3J36TULFCT-ND - Taśma cięta (CT) SSM3J36TULFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	SSM3J36TU,LF
Opis	MOSFET P-CH 20V 330MA UFM
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 20 V 330mA (Ta) 800mW (Ta) Montaż powierzchniowy UFM
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SSM3J36TU,LF Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Toshiba Semiconductor and Storage
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	20 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	330mA (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	1,5V, 4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,31Ohm przy 100mA, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	1.2 nC @ 4 V
Vgs (maks.)	±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	43 pF @ 10 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	800mW (Ta)
Temperatura robocza	150°C
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	UFM
Obudowa / skrzynia	3-SMD, odprowadzenia płaskie
Bazowy numer produktu	SSM3J36

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 6 571

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)