3-SMD, odprowadzenia płaskie Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

Wyświetlanie

z 103

Nr kat. prod.	Ilość dostępna	Cena	Seria	Opakowanie	Status produktu	Typ FET	Technologia	Napięcie dren-źródło (Vdss)	Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	Vgs(th) (maks.) przy Id	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	Vgs (maks.)	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	Charakterystyka FET	Straty mocy (maks.)	Temperatura robocza	Klasa	Kwalifikacja	Typ mocowania	Obudowa dostawcy urządzenia	Obudowa / skrzynia
SSM3J117TU,LF MOSFET P-CHANNEL 30V 2A UFM Toshiba Semiconductor and Storage	27 328 W magazynie	1 : 1,79000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,38459 zł Taśma i szpula (TR)	U-MOSII	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał P	MOSFET (tlenek metalu)	30 V	2A (Ta)	4V, 10V	117mOhm przy 1A, 10V	2,6V przy 1mA	-	±20V	280 pF @ 15 V	-	500mW (Ta)	150°C	-	-	Montaż powierzchniowy	UFM	3-SMD, odprowadzenia płaskie
SSM3J133TU,LF MOSFET P-CH 20V 5.5A UFM Toshiba Semiconductor and Storage	59 077 W magazynie	1 : 2,07000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,45465 zł Taśma i szpula (TR)	U-MOSVI	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał P	MOSFET (tlenek metalu)	20 V	5,5A (Ta)	1,5V, 4,5V	29,8mOhm przy 3A, 4,5V	1V przy 1mA	12.8 nC @ 4.5 V	±8V	840 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	UFM	3-SMD, odprowadzenia płaskie
RTF016N05TL MOSFET N-CH 45V 1.6A TUMT3 Rohm Semiconductor	25 035 W magazynie	1 : 2,25000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,51403 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	45 V	1,6A (Ta)	2,5V, 4,5V	190mOhm przy 1,6A, 4,5V	1,5V przy 1mA	2.3 nC @ 4.5 V	±12V	150 pF @ 10 V	-	320mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	TUMT3	3-SMD, odprowadzenia płaskie
SSM3K341TU,LF MOSFET N-CH 60V 6A UFM Toshiba Semiconductor and Storage	40 557 W magazynie	1 : 2,46000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,55140 zł Taśma i szpula (TR)	U-MOSVIII-H	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	60 V	6A (Ta)	4V, 10V	36mOhm przy 4A, 10V	2,5V przy 100µA	9.3 nC @ 10 V	±20V	550 pF @ 10 V	-	1,8W (Ta)	175°C	-	-	Montaż powierzchniowy	UFM	3-SMD, odprowadzenia płaskie
RTF025N03TL MOSFET N-CH 30V 2.5A TUMT3 Rohm Semiconductor	8 664 W magazynie	1 : 3,89000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,96521 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	30 V	2,5A (Ta)	2,5V, 4,5V	67mOhm przy 2,5A, 4,5V	1,5V przy 1mA	5.2 nC @ 4.5 V	±12V	270 pF @ 10 V	-	800mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	TUMT3	3-SMD, odprowadzenia płaskie
SSM3K36TU,LF MOSFET N-CH 20V 500MA UFM Toshiba Semiconductor and Storage	9 335 W magazynie	1 : 1,14000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,22975 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	20 V	500mA (Ta)	1,5V, 5V	630mOhm przy 200mA, 5V	1V przy 1mA	1.23 nC @ 4 V	±10V	46 pF @ 10 V	-	800mW (Ta)	150°C	-	-	Montaż powierzchniowy	UFM	3-SMD, odprowadzenia płaskie
SSM3K127TU,LF MOSFET N-CH 30V 2A UFM Toshiba Semiconductor and Storage	11 194 W magazynie	1 : 1,79000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,38459 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	30 V	2A (Ta)	1,8V, 4V	123mOhm przy 1A, 4V	1V przy 1mA	1.5 nC @ 4 V	±12V	123 pF @ 15 V	-	500mW (Ta)	150°C	-	-	Montaż powierzchniowy	UFM	3-SMD, odprowadzenia płaskie
SSM3J135TU,LF MOSFET P-CH 20V 3A UFM Toshiba Semiconductor and Storage	3 539 W magazynie	1 : 1,79000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,38459 zł Taśma i szpula (TR)	U-MOSVI	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał P	MOSFET (tlenek metalu)	20 V	3A (Ta)	1,5V, 4,5V	103mOhm przy 1A, 4,5V	1V przy 1mA	4.6 nC @ 4.5 V	±8V	270 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	150°C	-	-	Montaż powierzchniowy	UFM	3-SMD, odprowadzenia płaskie
SSM3K122TU,LF MOSFET N-CH 20V 2A UFM Toshiba Semiconductor and Storage	5 733 W magazynie	1 : 1,82000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,38966 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	20 V	2A (Ta)	1,5V, 4V	123mOhm przy 1A, 4V	1V przy 1mA	3.4 nC @ 4 V	±10V	195 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	150°C	-	-	Montaż powierzchniowy	UFM	3-SMD, odprowadzenia płaskie
SSM3K62TU,LF MOSFET N-CH 20V 800MA UFM Toshiba Semiconductor and Storage	13 063 W magazynie	1 : 1,93000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,41489 zł Taśma i szpula (TR)	U-MOSVII-H	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	20 V	800mA (Ta)	1,2V, 4,5V	57mOhm przy 800mA, 4,5V	1V przy 1mA	2 nC @ 4.5 V	±8V	177 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C	-	-	Montaż powierzchniowy	UFM	3-SMD, odprowadzenia płaskie
RSF015N06FRATL MOSFET N-CH 60V 1.5A TUMT3 Rohm Semiconductor	9 322 W magazynie	1 : 1,96000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,43804 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	60 V	1,5A (Ta)	4V, 10V	290mOhm przy 1,5A, 10V	2,5V przy 1mA	2 nC @ 5 V	±20V	110 pF @ 10 V	-	800mW (Ta)	150°C	Motoryzacja	AEC-Q101	Montaż powierzchniowy	TUMT3	3-SMD, odprowadzenia płaskie
RZF013P01TL MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3 Rohm Semiconductor	5 611 W magazynie	1 : 2,00000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,44831 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał P	MOSFET (tlenek metalu)	12 V	1,3A (Ta)	1,5V, 4,5V	260mOhm przy 1,3A, 4,5V	1V przy 1mA	2.4 nC @ 4.5 V	±10V	290 pF @ 6 V	-	800mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	TUMT3	3-SMD, odprowadzenia płaskie
SSM3J143TU,LF MOSFET P-CH 20V 5.5A UFM Toshiba Semiconductor and Storage	1 077 W magazynie	1 : 2,07000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,44972 zł Taśma i szpula (TR)	U-MOSVI	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał P	MOSFET (tlenek metalu)	20 V	5,5A (Ta)	1,5V, 4,5V	29,8mOhm przy 3A, 4,5V	1V przy 1mA	12.8 nC @ 4.5 V	+6V, -8V	840 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	150°C	-	-	Montaż powierzchniowy	UFM	3-SMD, odprowadzenia płaskie
SSM3K123TU,LF MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM Toshiba Semiconductor and Storage	11 339 W magazynie	1 : 2,18000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,47916 zł Taśma i szpula (TR)	U-MOSIII	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	20 V	4,2A (Ta)	1,5V, 4V	28mOhm przy 3A, 4V	1V przy 1mA	13.6 nC @ 4 V	±10V	1010 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	UFM	3-SMD, odprowadzenia płaskie
RRF015P03TL MOSFET P-CH 30V 1.5A TUMT3 Rohm Semiconductor	3 000 W magazynie	1 : 2,18000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,49902 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał P	MOSFET (tlenek metalu)	30 V	1,5A (Ta)	4V, 10V	160mOhm przy 1,5A, 10V	2,5V przy 1mA	6.4 nC @ 10 V	±20V	230 pF @ 10 V	-	320mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	TUMT3	3-SMD, odprowadzenia płaskie
SSM3K2615TU,LF MOSFET N-CH 60V 2A UFM Toshiba Semiconductor and Storage	7 298 W magazynie	1 : 2,29000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,50345 zł Taśma i szpula (TR)	π-MOSV	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	60 V	2A (Ta)	3,3V, 10V	300mOhm przy 1A, 10V	2V przy 1mA	6 nC @ 10 V	±20V	150 pF @ 10 V	-	800mW (Ta)	150°C	-	-	Montaż powierzchniowy	UFM	3-SMD, odprowadzenia płaskie
SSM3K116TU,LF MOSFET N-CH 30V 2.2A UFM Toshiba Semiconductor and Storage	16 056 W magazynie	1 : 2,32000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,51792 zł Taśma i szpula (TR)	U-MOSIII	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	30 V	2,2A (Ta)	2,5V, 4,5V	100mOhm przy 500mA, 4,5V	1,1V przy 100µA	-	±12V	245 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C - 150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	UFM	3-SMD, odprowadzenia płaskie
RUF020N02TL MOSFET N-CH 20V 2A TUMT3 Rohm Semiconductor	40 498 W magazynie	1 : 2,36000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,54384 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	20 V	2A (Ta)	1,5V, 4,5V	105mOhm przy 2A, 4,5V	1V przy 1mA	2 nC @ 4.5 V	±10V	180 pF @ 10 V	-	320mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	TUMT3	3-SMD, odprowadzenia płaskie
RUF025N02FRATL MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3 Rohm Semiconductor	2 663 W magazynie	1 : 2,36000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,54384 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	20 V	2,5A (Ta)	1,5V, 4,5V	54mOhm przy 2,5A, 4,5V	1,3V przy 1mA	5 nC @ 4.5 V	±10V	370 pF @ 10 V	-	800mW (Ta)	150°C (TJ)	Motoryzacja	AEC-Q101	Montaż powierzchniowy	TUMT3	3-SMD, odprowadzenia płaskie
SSM3J130TU,LF MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM Toshiba Semiconductor and Storage	92 238 W magazynie	1 : 2,54000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,57509 zł Taśma i szpula (TR)	U-MOSVI	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał P	MOSFET (tlenek metalu)	20 V	4,4A (Ta)	1,5V, 4,5V	25,8mOhm przy 4A, 4,5V	1V przy 1mA	24.8 nC @ 4.5 V	±8V	1800 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	UFM	3-SMD, odprowadzenia płaskie
SSM3K361TU,LF MOSFET N-CH 100V 3.5A UFM Toshiba Semiconductor and Storage	8 257 W magazynie	1 : 2,57000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,57982 zł Taśma i szpula (TR)	U-MOSVIII-H	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	100 V	3,5A (Ta)	4,5V, 10V	69mOhm przy 2A, 10V	2,5V przy 100µA	3.2 nC @ 4.5 V	±20V	430 pF @ 15 V	-	1W (Ta)	175°C	-	-	Montaż powierzchniowy	UFM	3-SMD, odprowadzenia płaskie
RUF015N02TL MOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3 Rohm Semiconductor	8 354 W magazynie	1 : 2,68000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,62678 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	20 V	1,5A (Ta)	1,8V, 4,5V	180mOhm przy 1,5A, 4,5V	1V przy 1mA	2.5 nC @ 4.5 V	±10V	110 pF @ 10 V	-	800mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	TUMT3	3-SMD, odprowadzenia płaskie
SSM3K131TU,LF MOSFET N-CH 30V 6A UFM Toshiba Semiconductor and Storage	6 189 W magazynie	1 : 2,71000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,61732 zł Taśma i szpula (TR)	U-MOSVI	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	30 V	6A (Ta)	4,5V, 10V	27,6mOhm przy 4A, 10V	2,5V przy 1mA	10.1 nC @ 10 V	±20V	450 pF @ 15 V	-	500mW (Ta)	150°C	-	-	Montaż powierzchniowy	UFM	3-SMD, odprowadzenia płaskie
SSM3J132TU,LF MOSFET P-CH 12V 5.4A UFM Toshiba Semiconductor and Storage	2 496 W magazynie	1 : 2,75000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,63128 zł Taśma i szpula (TR)	U-MOSVI	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał P	MOSFET (tlenek metalu)	12 V	5,4A (Ta)	1,2V, 4,5V	17mOhm przy 5A, 4,5V	1V przy 1mA	33 nC @ 4.5 V	±6V	2700 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	150°C	-	-	Montaż powierzchniowy	UFM	3-SMD, odprowadzenia płaskie
RAF040P01TCL MOSFET P-CH 12V 4A TUMT3 Rohm Semiconductor	9 818 W magazynie	1 : 2,93000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,69366 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał P	MOSFET (tlenek metalu)	12 V	4A (Ta)	1,5V, 4,5V	30mOhm przy 4A, 4,5V	1V przy 1mA	37 nC @ 4.5 V	-8V	4000 pF @ 6 V	-	800mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	TUMT3	3-SMD, odprowadzenia płaskie

Wyświetlanie

z 103

Pojedyncze tranzystory polowe (FET), MOSFET

Pojedyncze tranzystory polowe (FET) i tranzystory polowe typu metal-tlenek-półprzewodnik (MOSFET) to typy tranzystorów, służące do wzmacniania lub przełączania sygnałów elektronicznych.

Pojedynczy tranzystor polowy (FET) steruje przepływem prądu elektrycznego pomiędzy źródłem i drenem przez pole elektryczne wytwarzane napięciem przyłożonym do zacisku bramki. Główną zaletą tranzystorów polowych jest ich wysoka impedancja wejściowa, dzięki której idealnie sprawdzają się we wzmacnianiu sygnałów i obwodach analogowych. Są one szeroko używane w takich zastosowaniach jak wzmacniacze, oscylatory oraz stopnie buforowe w obwodach elektronicznych.

Tranzystory MOSFET stanowią podgrupę tranzystorów polowych, w której zacisk bramki jest odizolowany od kanału cienką warstwą tlenkową, co poprawia ich parametry działania i zapewnia wysoką sprawność. Tranzystory polowe typu metal-tlenek-półprzewodnik dzielą się na dwie kategorie:

Tranzystory MOSFET z kanałem N: gdzie głównymi nośnikami są elektrony.
Tranzystory MOSFET z kanałem P: gdzie głównymi nośnikami są dziury.

Tranzystory MOSFET są preferowane w wielu zastosowaniach ze względu na niski pobór mocy, szybkość przełączania oraz zdolność do obsługi wysokich prądów i napięć. Odgrywają one kluczową rolę w obwodach analogowych i cyfrowych, takich jak zasilacze, napędy silnikowe oraz zastosowania na częstotliwości radiowe.

Pod względem działania, tranzystory polowe typu metal-tlenek-półprzewodnik (MOSFET) dzielą się na dwie kategorie:

Z kanałem wzbogaconym: tego typu tranzystory MOSFET są normalnie wyłączone, gdy napięcie bramka-źródło wynosi zero. Do włączenia wymagają one dodatniego napięcia bramka-źródło (kanał N) lub ujemnego napięcia bramka-źródło (kanał P).
Z kanałem zubożonym: tego typu tranzystory MOSFET są normalnie włączone, gdy napięcie bramka-źródło wynosi zero. Można je wyłączyć podając napięcie bramka-źródło o przeciwnej polaryzacji.

Do zalet tranzystorów polowych typu metal-tlenek-półprzewodnik (MOSFET) zaliczają się między innymi:

Wysoka sprawność: bardzo niski pobór mocy, szybkie przełączanie stanów, a co za tym idzie wysoka sprawność w zastosowaniach zarządzania zasilaniem.
Niska rezystancja w stanie włączenia: minimalizacja strat mocy i wytwarzania ciepła.
Wysoka impedancja wejściowa: izolowana struktura bramki zapewnia bardzo wysoką impedancję wejściową, idealnie sprawdzającą się we wzmacnianiu sygnałów wysokoimpedancyjnych.

Podsumowując, pojedyncze tranzystory polowe (FET), w szczególności typu metal-tlenek-półprzewodnik (MOSFET), są podstawowymi współczesnymi komponentami elektronicznymi znanymi ze sprawności, szybkości oraz uniwersalności w szerokiej gamie zastosowań, od wzmacniania sygnałów małej mocy, poprzez przełączanie dużych mocy, aż do sterowania.

Pojedyncze tranzystory polowe (FET), MOSFET

INFORMATION

HELP

CONTACT US

FOLLOW US