Name: SSM3J35MFV,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J35MFVL3FTR-ND
Price: 0.8979 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SSM3J35MFV,L3F
Numer produktu DigiKey	SSM3J35MFVL3FTR-ND - Taśma i szpula (TR) SSM3J35MFVL3FCT-ND - Taśma cięta (CT) SSM3J35MFVL3FDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	SSM3J35MFV,L3F
Opis	MOSFET P-CH 20V 100MA VESM
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 20 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Montaż powierzchniowy VESM
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SSM3J35MFV,L3F Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Toshiba Semiconductor and Storage
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	20 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	100mA (Ta)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	8Ohm przy 50mA, 4V
Vgs(th) (maks.) przy Id	-
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	12.2 pF @ 3 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	150mW (Ta)
Temperatura robocza	150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	VESM
Obudowa / skrzynia	SOT-723
Bazowy numer produktu	SSM3J35

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 48 878

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)