Name: SSM3J15FV,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J15FVL3FTR-ND
Price: 0.9717 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SSM3J15FV,L3F
Numer produktu DigiKey	SSM3J15FVL3FTR-ND - Taśma i szpula (TR) SSM3J15FVL3FCT-ND - Taśma cięta (CT) SSM3J15FVL3FDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	SSM3J15FV,L3F
Opis	MOSFET P-CH 30V 100MA VESM
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 30 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Montaż powierzchniowy VESM
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SSM3J15FV,L3F Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 12Ohm przy 10mA, 4V
Prod. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) (maks.) przy Id 1,7V przy 100µA
Seria π-MOSVI	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 9.1 pF @ 3 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 150mW (Ta)
Typ FET Kanał P	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30 V	Obudowa dostawcy urządzenia VESM
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 100mA (Ta)	Obudowa / skrzynia SOT-723
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 2,5V, 4V	Bazowy numer produktu SSM3J15

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 54 365

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)