Name: SSM3J15FU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J15FULFTR-ND
Price: 0.9471 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SSM3J15FU,LF
Numer produktu DigiKey	SSM3J15FULFTR-ND - Taśma i szpula (TR) SSM3J15FULFCT-ND - Taśma cięta (CT) SSM3J15FULFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	SSM3J15FU,LF
Opis	MOSFET P-CH 30V 100MA USM
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 30 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Montaż powierzchniowy USM
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SSM3J15FU,LF Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Toshiba Semiconductor and Storage
Seria	π-MOSVI
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	100mA (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	2,5V, 4V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	12Ohm przy 10mA, 4V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1,7V przy 100µA
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	9.1 pF @ 3 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	150mW (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	USM
Obudowa / skrzynia	SC-70, SOT-323
Bazowy numer produktu	SSM3J15

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

W magazynie: 37 343

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)