Name: SSM3J117TU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J117TULFTR-ND
Price: 2.2509 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SSM3J117TU,LF
Numer produktu DigiKey	SSM3J117TULFTR-ND - Taśma i szpula (TR) SSM3J117TULFCT-ND - Taśma cięta (CT) SSM3J117TULFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	SSM3J117TU,LF
Opis	MOSFET P-CHANNEL 30V 2A UFM
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 30 V 2A (Ta) 500mW (Ta) Montaż powierzchniowy UFM
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SSM3J117TU,LF Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Toshiba Semiconductor and Storage
Seria	U-MOSII
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	2A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	117mOhm przy 1A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,6V przy 1mA
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	280 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	500mW (Ta)
Temperatura robocza	150°C
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	UFM
Obudowa / skrzynia	3-SMD, odprowadzenia płaskie
Bazowy numer produktu	SSM3J117

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

W magazynie: 272

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)