STW19NM60N jest dostępne do zakupu, ale zwykle nie jest przechowywane w magazynie.
Dostępne zamienniki:

Similar

IRFP22N60KPBF
Vishay Siliconix
W magazynie: 2
Cena jednostkowa : 32,50000 zł
Arkusz danych

Similar

IRFP26N60LPBF
Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar

IRFP27N60K
Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł

Similar

IRFP27N60KPBF
Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar

IXFH18N60X
IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 19,14270 zł

Similar

IXFH28N60P3
IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 30,64000 zł
Arkusz danych

Similar

IXFH30N60Q
IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 24,95933 zł

Similar

IXFK32N60
IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 42,59240 zł

Similar

IXFR30N60P
IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 26,18860 zł
Arkusz danych

Similar

IXFX32N80Q3
IXYS
W magazynie: 440
Cena jednostkowa : 112,57000 zł
Arkusz danych

Similar

IXFX38N80Q2
IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar

IXTH20N65X
IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 18,74403 zł
Arkusz danych

Similar

IXTH26N60P
IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 36,04000 zł
Arkusz danych

Similar

SPW16N50C3FKSA1
Infineon Technologies
W magazynie: 86
Cena jednostkowa : 15,68000 zł
Arkusz danych
Wyświetl i porównaj wszystkie zamienniki
Kanał N 600 V 13A (Tc) 110W (Tc) Otwór przelotowy TO-247-3
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

STW19NM60N

Numer produktu DigiKey
497-13792-5-ND
Producent
STMicroelectronics
Numer produktu producenta
STW19NM60N
Opis
MOSFET N-CH 600V 13A TO247
Standardowy czas realizacji przez producenta
20 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 600 V 13A (Tc) 110W (Tc) Otwór przelotowy TO-247-3
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
STW19NM60N Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
STMicroelectronics
Seria
MDmesh™ II
Opakowanie
Rurka
Status części
Aktywny
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
13A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
285mOhm przy 6,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
1000 pF @ 50 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
110W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
Motoryzacja
Kwalifikacja
AEC-Q101
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-247-3
Obudowa / skrzynia
TO-247-3
Bazowy numer produktu
STW19
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Dostępne do zamawiania
Sprawdź czas realizacji
Ten produkt nie znajduje się w magazynie DigiKey. Ukazany czas realizacji dotyczy wysyłki od producenta do firmy DigiKey. Po otrzymaniu produktu, DigiKey dokona wysyłki w celu realizacji otwartych zamówień.
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
8904,42175 zł3 935,36 zł
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:4,42175 zł
Cena jednostkowa z VAT:5,43875 zł