MFR Recommended
Similar
Similar
Similar
Similar

IXTH20N65X | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | IXTH20N65X-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | IXTH20N65X |
Opis | MOSFET N-CH 650V 20A TO247 |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 650 V 20A (Tc) 320W (Tc) Otwór przelotowy TO-247 (IXTH) |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 5,5V przy 250µA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 35 nC @ 10 V |
Seria | Vgs (maks.) ±30V |
Opakowanie Rurka | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1390 pF @ 25 V |
Status części Nieaktualne | Straty mocy (maks.) 320W (Tc) |
Typ FET | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Technologia | Typ mocowania Otwór przelotowy |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 650 V | Obudowa dostawcy urządzenia TO-247 (IXTH) |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa / skrzynia |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V | Bazowy numer produktu |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 210mOhm przy 10A, 10V |
| Numer katalogowy | Producent | Ilość dostępna | Numer produktu DigiKey | Cena jednostkowa | Rodzaj zamiennika |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTH20N65X2 | IXYS | 111 | 238-IXTH20N65X2-ND | 32,42000 zł | MFR Recommended |
| SIHG17N80E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG17N80E-GE3-ND | 23,74000 zł | Similar |
| SPW17N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | 1 812 | SPW17N80C3FKSA1-ND | 25,46000 zł | Similar |
| STW18N60M2 | STMicroelectronics | 50 | 497-15284-5-ND | 14,33000 zł | Similar |
| STW23N80K5 | STMicroelectronics | 557 | 497-16331-5-ND | 25,14000 zł | Similar |





