IXFH18N60X jest przestarzałe i nie jest już produkowane.
Dostępne zamienniki:

MFR Recommended


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 12,16573 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 2
Cena jednostkowa : 32,50000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 15,32000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 22,07000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 2 127
Cena jednostkowa : 19,64000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 114
Cena jednostkowa : 13,32000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 585
Cena jednostkowa : 15,39000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 524
Cena jednostkowa : 24,46000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 4,42175 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 314
Cena jednostkowa : 24,54000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 580
Cena jednostkowa : 25,75000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 557
Cena jednostkowa : 23,36000 zł
Arkusz danych
Kanał N 600 V 18A (Tc) 320W (Tc) Otwór przelotowy TO-247 (IXTH)
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IXFH18N60X

Numer produktu DigiKey
IXFH18N60X-ND
Producent
Numer produktu producenta
IXFH18N60X
Opis
MOSFET N-CH 600V 18A TO247
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 600 V 18A (Tc) 320W (Tc) Otwór przelotowy TO-247 (IXTH)
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
Opakowanie
Rurka
Status części
Nieaktualne
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
230mOhm przy 9A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4,5V przy 1,5mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
1440 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
320W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-247 (IXTH)
Obudowa / skrzynia
Bazowy numer produktu
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Przestarzałe
Ten produkt nie jest już produkowany. Wyświetl Zamienniki.