STP6N60M2 jest dostępne do zakupu, ale zwykle nie jest przechowywane w magazynie.
Dostępne zamienniki:

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 2,90633 zł
Arkusz danych

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 2,15401 zł
Arkusz danych

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 2,55698 zł
Arkusz danych

Similar


Central Semiconductor Corp
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł

Similar


onsemi
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 896
Cena jednostkowa : 11,78000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 902
Cena jednostkowa : 19,41000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 474
Cena jednostkowa : 11,78000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 240
Cena jednostkowa : 25,64000 zł
Arkusz danych

Similar


Renesas Electronics Corporation
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 19,08000 zł
Arkusz danych
Kanał N 600 V 4,5A (Tc) 60W (Tc) Otwór przelotowy TO-220
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

STP6N60M2

Numer produktu DigiKey
497-13974-5-ND
Producent
Numer produktu producenta
STP6N60M2
Opis
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220
Standardowy czas realizacji przez producenta
16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 600 V 4,5A (Tc) 60W (Tc) Otwór przelotowy TO-220
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
STP6N60M2 Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
Opakowanie
Rurka
Status części
Aktywny
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
1,2Ohm przy 2,25A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
232 pF @ 100 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
60W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220
Obudowa / skrzynia
Bazowy numer produktu
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Dostępne do zamawiania
Sprawdź czas realizacji
Ten produkt nie znajduje się w magazynie DigiKey. Ukazany czas realizacji dotyczy wysyłki od producenta do firmy DigiKey. Po otrzymaniu produktu, DigiKey dokona wysyłki w celu realizacji otwartych zamówień.
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
2 0002,18736 zł4 374,72 zł
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:2,18736 zł
Cena jednostkowa z VAT:2,69045 zł