Similar
Similar
Similar

AOT10N65 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | AOT10N65-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | AOT10N65 |
Opis | MOSFET N-CH 650V 10A TO220 |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 650 V 10A (Tc) 250W (Tc) Otwór przelotowy TO-220 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 4,5V przy 250µA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 33 nC @ 10 V |
Opakowanie Rurka | Vgs (maks.) ±30V |
Status części Nie do nowych projektów | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1645 pF @ 25 V |
Typ FET | Straty mocy (maks.) 250W (Tc) |
Technologia | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 650 V | Typ mocowania Otwór przelotowy |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa dostawcy urządzenia TO-220 |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V | Obudowa / skrzynia |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 1Ohm przy 5A, 10V | Bazowy numer produktu |
| Numer katalogowy | Producent | Ilość dostępna | Numer produktu DigiKey | Cena jednostkowa | Rodzaj zamiennika |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFP10N80P | IXYS | 240 | IXFP10N80P-ND | 29,84000 zł | Similar |
| STP9NK65Z | STMicroelectronics | 0 | STP9NK65Z-ND | 5,71009 zł | Similar |
| TK7E80W,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 70 | TK7E80WS1X-ND | 17,31000 zł | Similar |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 000 | 3,04399 zł | 3 043,99 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 3,04399 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 3,74411 zł |




