Name: STH3N150-2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-13876-2-ND
Price: 28.4376 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

STH3N150-2
Numer produktu DigiKey	497-13876-2-ND - Taśma i szpula (TR) 497-13876-1-ND - Taśma cięta (CT) 497-13876-6-ND - Digi-Reel®
Producent	STMicroelectronics
Numer produktu producenta	STH3N150-2
Opis	MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1500 V 2,5A (Tc) 140W (Tc) Montaż powierzchniowy H2PAK
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	STH3N150-2 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 5V przy 250µA
Prod. STMicroelectronics	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 29.3 nC @ 10 V
Seria PowerMESH™	Vgs (maks.) ±30V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 939 pF @ 25 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 140W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 1500 V	Obudowa dostawcy urządzenia H2PAK
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 2,5A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), wariant
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Bazowy numer produktu STH3N150
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 9Ohm przy 1,3A, 10V