Name: DMC3025LSDQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMC3025LSDQ-13DITR-ND
Price: 5.0799 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMC3025LSDQ-13
Numer produktu DigiKey	DMC3025LSDQ-13DITR-ND - Taśma i szpula (TR) DMC3025LSDQ-13DICT-ND - Taśma cięta (CT) DMC3025LSDQ-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMC3025LSDQ-13
Opis	MOSFET N/P-CH 30V 6.5A 8SO
Standardowy czas realizacji przez producenta	40 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 30V 6,5A (Ta), 4,2A (Ta) 1,2W (Ta) Montaż powierzchniowy 8-SO
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 4,6nC przy 4,5V, 5,1nC przy 4,5V
Producent Diodes Incorporated	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 501pF przy 15V, 590pF przy 25V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Moc - maks. 1,2W (Ta)
Status części Aktywny	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Klasa Motoryzacja
Konfiguracja Kanał N i P	Kwalifikacja AEC-Q101
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 6,5A (Ta), 4,2A (Ta)	Obudowa / skrzynia 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 20mOhm przy 7,4A, 10V, 45mOhm przy 5,2A, 10V	Obudowa dostawcy urządzenia 8-SO
Vgs(th) (maks.) przy Id 2V przy 250µA	Bazowy numer produktu DMC3025

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 3 202

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)