Name: STH13N120K5-2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STH13N120K5-2AGTR-ND
Price: 50.6022 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

STH13N120K5-2AG
Numer produktu DigiKey	497-STH13N120K5-2AGTR-ND - Taśma i szpula (TR) 497-STH13N120K5-2AGCT-ND - Taśma cięta (CT) 497-STH13N120K5-2AGDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	STMicroelectronics
Numer produktu producenta	STH13N120K5-2AG
Opis	MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
Standardowy czas realizacji przez producenta	14 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1200 V 12A (Tc) 250W (Tc) Montaż powierzchniowy H2PAK-2
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	STH13N120K5-2AG Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	STMicroelectronics
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	1200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	12A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	690mOhm przy 6A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	5V przy 100µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	44.2 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1370 pF @ 100 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	250W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	H2PAK-2
Obudowa / skrzynia	TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Bazowy numer produktu	STH13