Name: SIHG33N65E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHG33N65E-GE3-ND
Price: 15.47662 PLN
Availability: OutOfStock

SIHG33N65E-GE3
Numer produktu DigiKey	SIHG33N65E-GE3-ND
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SIHG33N65E-GE3
Opis	MOSFET N-CH 650V 32.4A TO247AC
Standardowy czas realizacji przez producenta	22 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 1,4A (Tc) 313W (Tc) Otwór przelotowy TO-247AC
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Vishay Siliconix
Seria	-
Opakowanie	Rurka
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	1,4A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	105mOhm przy 16,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	173 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	4040 pF @ 100 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	313W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-247AC
Obudowa / skrzynia	TO-247-3
Bazowy numer produktu	SIHG33

Cena jednostkowa bez VAT:	12,58262 zł
Cena jednostkowa z VAT:	15,47662 zł

SIHG33N65E-GE3