Name: SH8J66TB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: SH8J66TB1TR-ND
Price: 14.7108 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SH8J66TB1
Numer produktu DigiKey	SH8J66TB1TR-ND - Taśma i szpula (TR) SH8J66TB1CT-ND - Taśma cięta (CT) SH8J66TB1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Rohm Semiconductor
Numer produktu producenta	SH8J66TB1
Opis	MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOP
Standardowy czas realizacji przez producenta	18 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 30V 9A 2W Montaż powierzchniowy 8-SOP
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SH8J66TB1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 1mA
Producent Rohm Semiconductor	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 35nC przy 5V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 3000pF przy 10V
Status części Aktywny	Moc - maks. 2W
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza 150°C (TJ)
Konfiguracja 2 kanały P (podwójne)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Charakterystyka FET Bramka poziomu logicznego	Obudowa / skrzynia 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30V	Obudowa dostawcy urządzenia 8-SOP
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 9A	Bazowy numer produktu SH8J66
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 18,5mOhm przy 9A, 10V