Name: SH8J66TB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: SH8J66TB1TR-ND
Price: 14.0466 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SH8J66TB1
Numer produktu DigiKey	SH8J66TB1TR-ND - Taśma i szpula (TR) SH8J66TB1CT-ND - Taśma cięta (CT) SH8J66TB1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Rohm Semiconductor
Numer produktu producenta	SH8J66TB1
Opis	MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOP
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 30V 9A 2W Montaż powierzchniowy 8-SOP
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SH8J66TB1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	Rohm Semiconductor
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Konfiguracja	2 kanały P (podwójne)
Charakterystyka FET	Bramka poziomu logicznego
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	9A
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	18,5mOhm przy 9A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	35nC przy 5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	3000pF przy 10V
Moc - maks.	2W
Temperatura robocza	150°C (TJ)
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Obudowa dostawcy urządzenia	8-SOP
Bazowy numer produktu	SH8J66