Name: RSD221N06TL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RSD221N06TL-ND
Price: 2.6608 PLN
Availability: OutOfStock

Potrzebujesz pomocy?

Twoja opinia

Informacje o DigiKey Marketplace Sprzedawaj na DigiKey.com Kariera Mapa serwisu Rozwiązania cyfrowe Serwis informacyjny

Pomoc i wsparcie Status zamówienia Stawki i opcje wysyłek Zwroty i zagadnienia dotyczące zamawiania

Chat (+48) 22 53 64 114 poland.support@digikey.com Co-Browse

RSD221N06TL
Numer produktu DigiKey	RSD221N06TL-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	Rohm Semiconductor
Numer produktu producenta	RSD221N06TL
Opis	MOSFET N-CH 60V 22A CPT3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 22A (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc) Montaż powierzchniowy CPT3
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Rohm Semiconductor
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Ostatnio kupiono
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	22A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	26mOhm przy 22A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1500 pF @ 10 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	850mW (Ta), 20W (Tc)
Temperatura robocza	150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	CPT3
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Bazowy numer produktu	RSD221

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
2 500	2,16325 zł	5 408,12 zł
5 000	2,02215 zł	10 110,75 zł

Cena jednostkowa bez VAT:	2,16325 zł
Cena jednostkowa z VAT:	2,66080 zł

RSD221N06TL