Name: RF4P025ATTCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RF4P025ATTCRTR-ND
Price: 4.9938 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

RF4P025ATTCR
Numer produktu DigiKey	846-RF4P025ATTCRTR-ND - Taśma i szpula (TR) 846-RF4P025ATTCRCT-ND - Taśma cięta (CT) 846-RF4P025ATTCRDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Rohm Semiconductor
Numer produktu producenta	RF4P025ATTCR
Opis	PCH -100V -2.5A POWER MOSFET
Standardowy czas realizacji przez producenta	21 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 100 V 2,5A (Ta) 2W (Ta) Montaż powierzchniowy HUML2020L8
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Rohm Semiconductor
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	2,5A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	260mOhm przy 2,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	19.7 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	590 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2W (Ta)
Temperatura robocza	150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	HUML2020L8
Obudowa / skrzynia	8-PowerUDFN
Bazowy numer produktu	RF4P025