Name: RD3P02BATTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RD3P02BATTL1TR-ND
Price: 9.594 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

RD3P02BATTL1
Numer produktu DigiKey	846-RD3P02BATTL1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 846-RD3P02BATTL1CT-ND - Taśma cięta (CT) 846-RD3P02BATTL1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Rohm Semiconductor
Numer produktu producenta	RD3P02BATTL1
Opis	PCH -100V -20A POWER MOSFET: RD3
Standardowy czas realizacji przez producenta	21 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 100 V 20A (Tc) 56W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-252
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Rohm Semiconductor
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	20A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	116mOhm przy 10A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	39 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1480 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	56W (Tc)
Temperatura robocza	150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-252
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Bazowy numer produktu	RD3P02