Name: RD3G03BATTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RD3G03BATTL1TR-ND
Price: 9.6678 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

RD3G03BATTL1
Numer produktu DigiKey	846-RD3G03BATTL1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 846-RD3G03BATTL1CT-ND - Taśma cięta (CT) 846-RD3G03BATTL1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Rohm Semiconductor
Numer produktu producenta	RD3G03BATTL1
Opis	PCH -40V -35A POWER MOSFET - RD3
Standardowy czas realizacji przez producenta	18 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 40 V 35A (Tc) 56W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-252
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	RD3G03BATTL1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 1mA
Prod. Rohm Semiconductor	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 38 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 2100 pF @ 20 V
Typ FET Kanał P	Straty mocy (maks.) 56W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 40 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 35A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia TO-252
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa / skrzynia TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 19,1mOhm przy 35A, 10V	Bazowy numer produktu RD3G03