Name: IPD068N10N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD068N10N3GATMA1TR-ND
Price: 12.6936 PLN
Availability: InStock

Potrzebujesz pomocy?

Twoja opinia

Informacje o DigiKey Marketplace Sprzedawaj na DigiKey.com Kariera Mapa serwisu Rozwiązania cyfrowe Serwis informacyjny

Pomoc i wsparcie Status zamówienia Stawki i opcje wysyłek Zwroty i zagadnienia dotyczące zamawiania

Chat (+48) 22 53 64 114 poland.support@digikey.com Co-Browse

IPD068N10N3GATMA1
Numer produktu DigiKey	IPD068N10N3GATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPD068N10N3GATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPD068N10N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPD068N10N3GATMA1
Opis	MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Standardowy czas realizacji przez producenta	26 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 90A (Tc) 150W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO252-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPD068N10N3GATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	90A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	6,8mOhm przy 90A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,5V przy 90µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	68 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	4910 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	150W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO252-3
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Bazowy numer produktu	IPD068

Cena jednostkowa bez VAT:	10,32000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	12,69360 zł

IPD068N10N3GATMA1