R6012ANX jest dostępne do zakupu, ale zwykle nie jest przechowywane w magazynie.
Dostępne zamienniki:

Similar


Rohm Semiconductor
W magazynie: 680
Cena jednostkowa : 15,62000 zł
Arkusz danych

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 149
Cena jednostkowa : 13,39000 zł
Arkusz danych

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 329
Cena jednostkowa : 14,36000 zł
Arkusz danych

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 208
Cena jednostkowa : 15,22000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 948
Cena jednostkowa : 17,42000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 1 044
Cena jednostkowa : 14,11000 zł

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 140
Cena jednostkowa : 5,64000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 814
Cena jednostkowa : 12,46000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 197
Cena jednostkowa : 13,50000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 1 857
Cena jednostkowa : 12,96000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 1 349
Cena jednostkowa : 16,45000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 603
Cena jednostkowa : 18,53000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 3
Cena jednostkowa : 12,71000 zł
Arkusz danych

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
W magazynie: 7
Cena jednostkowa : 17,27000 zł
Arkusz danych
Kanał N 600 V 12A (Ta) 50W (Tc) Otwór przelotowy TO-220FM
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

R6012ANX

Numer produktu DigiKey
R6012ANX-ND
Producent
Numer produktu producenta
R6012ANX
Opis
MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 600 V 12A (Ta) 50W (Tc) Otwór przelotowy TO-220FM
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
R6012ANX Modele
Atrybuty produktu
Filtruj podobne produkty
Pokaż puste atrybuty
Kategoria
Vgs(th) (maks.) przy Id
4,5V przy 1mA
Prod.
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
35 nC @ 10 V
Opakowanie
Zbiorcze
Vgs (maks.)
±30V
Status części
Nie do nowych projektów
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
1300 pF @ 25 V
Typ FET
Straty mocy (maks.)
50W (Tc)
Technologia
Temperatura robocza
150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220FM
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Obudowa / skrzynia
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
420mOhm przy 6A, 10V
Bazowy numer produktu
Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów
Dodatkowe zasoby
Zamienniki (14)
Numer katalogowyProducent Ilość dostępnaNumer produktu DigiKey Cena jednostkowa Rodzaj zamiennika
R6011KNXC7GRohm Semiconductor680846-R6011KNXC7G-ND15,62000 złSimilar
AOTF11S65LAlpha & Omega Semiconductor Inc.149785-1517-5-ND13,39000 złSimilar
AOTF15S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.329785-1518-5-ND14,36000 złSimilar
AOTF15S65LAlpha & Omega Semiconductor Inc.208785-1519-5-ND15,22000 złSimilar
FCPF11N60Fonsemi948FCPF11N60F-ND17,42000 złSimilar
Dostępne do zamawiania
Ten produkt nie znajduje się w magazynie DigiKey. Ukazany czas realizacji dotyczy wysyłki od producenta do firmy DigiKey. Po otrzymaniu produktu, DigiKey dokona wysyłki w celu realizacji otwartych zamówień.
Nie zalecane do nowych projektów. Mogą obowiązywać minimalne ilości. Wyświetl Zamienniki.
Wszystkie ceny podano w PLN
Zbiorcze
Ilość Cena jednostkowa Wartość
5008,71502 zł4 357,51 zł
Opakowanie standardowe producenta
Cena jednostkowa bez VAT:8,71502 zł
Cena jednostkowa z VAT:10,71947 zł