


TK10A80W,S4X | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 264-TK10A80W,S4X-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | TK10A80W,S4X |
Opis | MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220SIS |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 16 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 800 V 9,5A (Ta) 40W (Tc) Otwór przelotowy TO-220SIS |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | TK10A80W,S4X Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 800 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 550mOhm przy 4,8A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4V przy 450µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 19 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 1150 pF @ 300 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 40W (Tc) | |
Temperatura robocza | 150°C | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Otwór przelotowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-220SIS | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 15,96000 zł | 15,96 zł |
| 50 | 8,21080 zł | 410,54 zł |
| 100 | 7,46130 zł | 746,13 zł |
| 500 | 6,14756 zł | 3 073,78 zł |
| 1 000 | 5,80568 zł | 5 805,68 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 15,96000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 19,63080 zł |




