R6006ANDTL jest dostępne do zakupu, ale zwykle nie jest przechowywane w magazynie.
Dostępne zamienniki:

MFR Recommended


Rohm Semiconductor
W magazynie: 1 011
Cena jednostkowa : 11,30000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 3 984
Cena jednostkowa : 6,13000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 10 966
Cena jednostkowa : 10,68000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 3,17546 zł
Arkusz danych

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
W magazynie: 3 664
Cena jednostkowa : 11,19000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 4 551
Cena jednostkowa : 8,62000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 2 074
Cena jednostkowa : 6,49000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 7,15000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 136
Cena jednostkowa : 10,01000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 7 212
Cena jednostkowa : 6,75000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 1 349
Cena jednostkowa : 16,62000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 4 496
Cena jednostkowa : 6,49000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 2 312
Cena jednostkowa : 11,74000 zł
Arkusz danych
Kanał N 600 V 6A (Tc) 40W (Tc) Montaż powierzchniowy CPT3
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

R6006ANDTL

Numer produktu DigiKey
846-R6006ANDTLTR-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent
Numer produktu producenta
R6006ANDTL
Opis
MOSFET N-CH 600V 6A CPT
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 600 V 6A (Tc) 40W (Tc) Montaż powierzchniowy CPT3
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
R6006ANDTL Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
-
Opakowanie
Taśma i szpula (TR)
Status części
Ostatnio kupiono
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
1,2Ohm przy 3A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4,5V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
460 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
40W (Tc)
Temperatura robocza
150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia
CPT3
Obudowa / skrzynia
Bazowy numer produktu
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Ostatni zakup
Data ostatniego zakupu: 31.03.2027
Wszystkie ceny podano w PLN
Taśma i szpula (TR)
Ilość Cena jednostkowa Wartość
2 5003,81514 zł9 537,85 zł
Opakowanie standardowe producenta
Cena jednostkowa bez VAT:3,81514 zł
Cena jednostkowa z VAT:4,69262 zł